Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF45MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 50A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF45MR12W1M1B11BOMA1
FF45MR12W1M1B11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF45MR12W1M1B11BOMA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı dual N-channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltaj derecelendirmesine ve 25A sürekli drenaj akımına sahip olan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında etkili anahtarlama performansı sunar. 45mOhm tipik on-state direnci ve 62nC gate charge değerleriyle hızlı komütasyon özellikleri gösterir. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel güç dönüştürme, invertör devreleri, elektrikli araç sürücü sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında kullanıma uygundur. Chassis mount AG-EASY1BM-2 paket tipiyle modüler tasarım sağlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Supplier Device Package | AG-EASY1BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok