IGBT Transistörler - Modüller

FF400R12KE3B2HOSA1

IGBT MOD 1200V 580A 2000W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FF400R12KE3

FF400R12KE3B2HOSA1 Hakkında

FF400R12KE3B2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/580A kapasiteli IGBT transistör modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 2 bağımsız konfigürasyona sahip olup 2000W güç işleme kapasitesine sahiptir. Maksimum Vce(on) değeri 400A'de 2.15V'tur. Şasi montajı için tasarlanmış bu modül, -40°C ile +125°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve yüksek güçlü anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 28nF giriş kapasitanslı standart giriş konfigürasyonu hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliklere sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration 2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) 580 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 28 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 2000 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok