Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF23MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF23MR12W1M1B11BOMA1, Silicon Carbide teknolojisine dayalı 1200V 50A MOSFET modülüdür. İkili N-Channel (2 N-CH) yapısı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere optimize edilmiştir. 50A sürekli dren akımı kapasitesi ve 23mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 125nC olarak belirtilmiş olup, -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığını destekler. Chassis mount tipi modül formatında sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın şekilde kullanılır. SiC teknolojisi nedeniyle daha yüksek verimlilik ve switching hızı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok