IGBT Transistörler - Modüller

FF225R12ME4BOSA1

IGBT MOD 1200V 320A 1050W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FF225R12ME4BOSA1

FF225R12ME4BOSA1 Hakkında

FF225R12ME4BOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/320A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisini kullanan bu iki bağımsız konfigürasyonlu transistör modülü, maksimum 1050W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 225A akımda 2.15V olarak belirtilmiştir. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu modül, güç dönüştürme sistemleri, endüstriyel sürücüler, kaynak makinaları ve elektrikli araç uygulamalarında kullanılır. Chassis mount konfigürasyonu ile güvenli montaj imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration 2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) 320 A
Current - Collector Cutoff (Max) 3 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 1050 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 225A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok