IGBT Transistörler - Modüller
FF200R17KE4HOSA1
IGBT MOD 1700V 310A 1250W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF200R17KE4
FF200R17KE4HOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF200R17KE4HOSA1, 1700V çalışma gerilimi ve 310A maksimum kolektör akımına sahip Trench Field Stop IGBT modülüdür. 1250W maksimum güç kapasitesi ile tasarlanmış bu komponent, iki bağımsız IGBT konfigürasyonuna sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu modül, endüstriyel elektrik sürücü sistemleri, UPS güç kaynakları, solar inverter uygulamaları ve yüksek verimli DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. Chassis mount tipindeki paketleme, yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalara uygun olup, 2.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 310 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 18 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok