IGBT Transistörler - Modüller

FF200R17KE3HOSA1

IGBT MOD 1700V 310A 1250W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FF200R17KE3

FF200R17KE3HOSA1 Hakkında

FF200R17KE3HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1700V/310A kapasiteli IGBT güç modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, Half Bridge konfigürasyonunda çalışır ve maksimum 1250W güç yönetebilir. 2.45V Vce(on) değeri ile düşük konmutasyon kaybı sağlar. Chassis Mount tipinde paket içinde sunulan modül, -40°C ~ 125°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalarda, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, welding makinaları ve renewable energy sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 310 A
Current - Collector Cutoff (Max) 3 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 18 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 1250 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok