IGBT Transistörler - Modüller

FF200R12MT4BOMA1

IGBT MODULE 1200V 1050W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FF200R12MT4

FF200R12MT4BOMA1 Hakkında

FF200R12MT4BOMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V 1050W güç seviyesinde bir IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, iki bağımsız yapılandırma sunarak esnek devre tasarımı olanağı sağlar. Maksimum Vce(on) değeri 15V, 200A koşullarında 2.15V olup, 1200V collector-emitter ön gerilimi altında çalışabilir. NTC thermistor entegrasyonu ile termal yönetim desteği sunan modül, -40°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında çalışır. Chassis mount tipinde paketlenmiş olup, endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrolü ve tesis dönüştürücüsü uygulamalarında kullanılan bir çözümdür. Mevcut durumu obsolete olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration 2 Independent
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Obsolete
Power - Max 1050 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok