IGBT Transistörler - Modüller
FF200R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF200R12KT4
FF200R12KT4HOSA1 Hakkında
FF200R12KT4HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/320A kapasiteli IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu Trench Field Stop tipi transistör, maksimum 1100W güç kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 200A'de 2.15V ile belirtilmiştir. Chassis Mount tipi montajla uygulamalara entegre edilir. -40°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Industrial uygulamalar, güç dönüştürücüler, inverter ve motor sürücü tasarımlarında kullanılan güvenilir bir çözümdür. 14nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 320 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1100 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok