IGBT Transistörler - Modüller
FF200R12KT3HOSA1
IGBT MODULE 1200V 1050W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF200R12KT3
FF200R12KT3HOSA1 Hakkında
FF200R12KT3HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 1050W güç kapasitesine sahip IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu modül, 2 bağımsız konfigürasyonda çalışır ve 200A collector akımı yeteneğine sahiptir. Vce(on) değeri 2.15V @ 15V, 200A koşullarında ölçülmüştür. Chassis mount tipi montaj ile sağlanan modül, -40°C ile 125°C arasında çalışır. 14 nF giriş kapasitansı (Cies @ 25V) ve 5 mA maksimum collector cutoff akımı ile karakterize edilir. Standart giriş kontrolü ile uyumlu olan bu modül, endüstriyel güç elektroniği uygulamaları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme sistemleri ve welding ekipmanlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1050 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok