IGBT Transistörler - Modüller
FF200R12KT3EHOSA1
IGBT MODULE 1200V 1050W
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF200R12KT3
FF200R12KT3EHOSA1 Hakkında
FF200R12KT3EHOSA1, 1200V breakdown voltajında çalışan IGBT modüldür. 1050W maksimum güç kapasitesi ile tasarlanmış olup, 200A collector akımında 2.15V Vce(on) değerine sahiptir. 2 bağımsız konfigürasyona sahip bu modül, yüksek voltaj güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Chassis mount tipi montajla endüstriyel seviyede montajı destekler. -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığında istikrarlı performans gösterir. Standard input karakteristiği ve 14 nF input kapasitansı ile entegre devreler tarafından kolaylıkla kontrol edilebilir. Güç dönüşümü, motor sürücüleri ve inverter uygulamalarında tercih edilen bir modüldür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1050 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok