IGBT Transistörler - Modüller
FF200R12KS4HOSA1
IGBT MOD 1200V 275A 1400W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF200R12KS4
FF200R12KS4HOSA1 Hakkında
FF200R12KS4HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 275A kapasiteli IGBT modülüdür. İki bağımsız IGBT konfigürasyonuna sahip bu komponent, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 1400W güç kapasitesi ile endüstriyel sürücüler, kaynak makineleri, UPS sistemleri ve fotovoltaik invertörler gibi uygulamalarda yer bulur. Maksimum Vce(on) değeri 3.7V (15V gate voltajında, 200A'da) ve 1200V breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. Chassis mount modül paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 125°C arasında çalışabilir ve 13nF input kapasitansına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 275 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 13 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1400 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok