IGBT Transistörler - Modüller
FF200R12KE4PHOSA1
IGBT MODULE 1200V 200A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF200R12KE4
FF200R12KE4PHOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF200R12KE4PHOSA1, 1200V 200A kapasiteli Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, Vce(on) değeri 200A'de 2.15V olan düşük iletim kaybı özellikleri sunmaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışan modül, endüstriyel elektrik uygulamaları, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve güç çevirici sistemlerinde kullanılmaktadır. Chassis Mount tipi montajla sabit kurulum için tasarlanmış, 14 nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok