IGBT Transistörler - Modüller

FF200R12KE4HOSA1

IGBT MOD 1200V 240A 1100W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FF200R12KE4

FF200R12KE4HOSA1 Hakkında

FF200R12KE4HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V 240A kapasiteli Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış olan bu bileşen, 1100W maksimum güç yönetebilir. Chassis mount tipi gövdesi ile endüstriyel uygulamalara entegre edilmeye uygun olan modül, -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 200A akımda 2.15V olarak belirtilmiştir. Güç kaynakları, motor sürücüler, invertörler ve converterler gibi yüksek akım ve yüksek voltaj gerektiren elektronik sistemlerde kullanılan üretken bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 240 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 1100 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok