IGBT Transistörler - Modüller
FF200R12KE3HOSA1
IGBT MODULE 1200V 1050W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF200R12KE3
FF200R12KE3HOSA1 Hakkında
FF200R12KE3HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/1050W IGBT modülüdür. İki bağımsız IGBT yapılandırmasına sahip olan bu komponent, endüstriyel uygulamalarda güç dönüştürme ve anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. 200A collector akımı, 2.15V Vce(on) değeri ve 14nF input kapasitansı ile yüksek frekanslı switching uygulamalarında kullanılır. Chassis mount montaj tipine sahip modül, -40°C ile 125°C işletim sıcaklık aralığında çalışır. NTC termistör entegrasyonu sayesinde sıcaklık koruması sağlar. UPS sistemleri, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve enerji dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1050 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok