IGBT Transistörler - Modüller
FF200R12KE3B2HOSA1
IGBT MOD 1200V 295A 1050W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF200R12KE3
FF200R12KE3B2HOSA1 Hakkında
FF200R12KE3B2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/295A kapasiteli Half Bridge IGBT modülüdür. Chassis mount paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1050W güç kapasitesi ve 2.15V Vce(on) değeri ile yüksek verimlilik sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-40°C ~ 125°C) kullanılabilen modül, endüstriyel uygulamalar, solar inverters, motor kontrol sistemleri ve güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. NTC termistor özelliği içermez ve standart giriş konfigürasyonu ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 295 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1050 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok