IGBT Transistörler - Modüller

FF150R12RT4HOSA1

IGBT MOD 1200V 150A 790W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FF150R12RT4

FF150R12RT4HOSA1 Hakkında

FF150R12RT4HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/150A kapasiteli Half Bridge IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak tasarlanan bu modül, yüksek anahtarlama hızı ve düşük iletim kayıpları sunmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 790W güç kapasitesiyle, endüstriyel sürücü uygulamaları, konvertör devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Surface mount pakette sunulan komponentin maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 150A akımda 2.15V olup, -40°C ile +150°C arasında işletilebilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 150 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Mounting Type Surface Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 790 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok