IGBT Transistörler - Modüller
FF150R12ME3GBOSA1
IGBT MOD 1200V 200A 695W
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF150R12ME3
FF150R12ME3GBOSA1 Hakkında
FF150R12ME3GBOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/200A kapasiteli Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, maksimum 695W güç kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V/150A koşullarında 2.15V'tur. NTC termistör entegrasyonu sayesinde sıcaklık monitoring özellikleri bulunmaktadır. -40°C ile 125°C arasında stabil çalışabilir. Chassis mount türü montajla harita ve endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde ve inverter uygulamalarında kullanılabilir. Standart input karakteristiğine sahip olan modülün giriş kapasitansi 10.5nF @ 25V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 10.5 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 695 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok