IGBT Transistörler - Modüller

FF1200R12KE3NOSA1

IGBT MODULE 1200V 5000W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FF1200R12KE3

FF1200R12KE3NOSA1 Hakkında

FF1200R12KE3NOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT modülüdür. 5000W güç kapasitesine sahip bu komponent, iki bağımsız IGBT yapılandırması ile tasarlanmıştır. 1200A collector akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 2.15V olarak belirtilmiştir. Çassis montajı için uygun modül paketlemesi ile endüstriyel sürücü devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Cies kapasitansi 25V'de 86nF'dir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration 2 Independent
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 86 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Obsolete
Power - Max 5000 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 1200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok