Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF11MR12W1M1PB11BPSA1
MOSFET MODULE 1200V DUAL
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF11MR12W1M1PB11BPSA1
FF11MR12W1M1PB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF11MR12W1M1PB11BPSA1, 1200V Drain-Source geriliminde çalışan Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-Channel MOSFET modülüdür. 100A sürekli dren akımı kapasitesine ve 11.3mΩ Rds(on) değerine sahiptir. Chassis mount tipi kasa ile sağlanan bu komponent, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. 248nC gate charge ve 7360pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel güç dönüştürme sistemleri, invertörler, DC-DC konvertörler ve yüksek gerilim anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 248nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7360pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 100A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok