Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF11MR12W1M1B11BOMA1
MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1B11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF11MR12W1M1B11BOMA1, Silicon Carbide (SiC) tabanlı çift N-kanal (2N-CH) MOSFET modülüdür. 1200V (Vdss) yüksek gerilim kapasitesi ve 100A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 11mΩ (Rds On) düşük iletim direnci sayesinde ısı kaybı minimize edilir. Chassis mount konfigürasyonunda sunulan bu modül, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 250nC @ 15V ve input kapasitans 7950pF @ 800V değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Elektriksel şebeke uygulamaları, endüstriyel güç dönüştürücüleri, UPS sistemleri ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücüleri gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7950pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 15V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok