IGBT Transistörler - Modüller
FF100R12KS4HOSA1
IGBT MOD 1200V 150A 780W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF100R12KS4
FF100R12KS4HOSA1 Hakkında
FF100R12KS4HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/150A IGBT transistör modülüdür. 2 bağımsız yapılandırma ile tasarlanan bu komponent, maksimum 780W güç yönetimini destekler. Vce(on) değeri 3.7V @ 15V, 100A olup, collector emitter kırılma voltajı 1200V'dir. 650nF input kapasitanslı (Cies @ 25V) bu modül, -40°C ile +125°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Chassis mount montajı ile sağlanan FF100R12KS4HOSA1, endüstriyel sürücü uygulamaları, güç konvertertleri, inverter sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Module kasa tipinde tasarlanmış olan komponent, standart input kontrolü ile çalışır ve NTC termistor içermez.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 650 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 780 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok