Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
EASY PACK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF08MR12W1MA1B11ABPSA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. EASY PACK modül paketinde sunulan bu komponen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1200V drain-source voltaj desteği ve 150A sürekli drenaj akımı ile güç elektronik sistemlerinde, endüstriyel sürücülerde, enerji dönüşüm devrelerinde ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. Düşük on-dirençi (9.8mOhm) ve optimize edilmiş kapasitans değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Şasi montajlı tasarımı ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-40°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 150A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 90mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok