Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FESB8BT-E3/81
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FESB8BT
FESB8BT-E3/81 Hakkında
FESB8BT-E3/81, Vishay tarafından üretilen 100V 8A kapasiteli genel amaçlı silikon doğrultucu diyotudur. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, hızlı diyot kategorisinde yer alarak 35 ns reverse recovery time (trr) ile karakterizedir. 950 mV maksimum forward voltajı ve 10 µA reverse leakage akımı özellikleri ile güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu diyot, yüksek güç yoğunluklu devrelerde etkin ısı yönetimi sağlayan tab kontağı ile donatılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok