Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FESB16DT-E3/45
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FESB16DT
FESB16DT-E3/45 Hakkında
FESB16DT-E3/45, Vishay tarafından üretilen 200V/16A kapasiteli genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 35 ns reverse recovery time ve 975 mV maksimum forward voltage özelliklerine sahiptir. -65°C ile +150°C arasında çalışan diyot, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, inverter devreleri ve koruma uygulamalarında kullanılır. Düşük reverse leakage akımı (10 µA @ 200V) ve hızlı switch karakteristiği sayesinde anahtarlama kaybı minimize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975 mV @ 16 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok