Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDY1002PZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- FDY1002
FDY1002PZ Hakkında
FDY1002PZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel Power Field-Effect Transistor'dür. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ve 830mA sürekli drenaj akımı ile çalışır. SOT-563 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 500mOhm RdsOn değeri ve 446mW maksimum güç tüketimiyle tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu dual transistör, düşük gate charge (3.1nC @ 4.5V) ve düşük input capacitance (135pF @ 10V) değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devreleri, sürücü devreler ve güç yönetim uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 830mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 446mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 830mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok