Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDW2601NZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- FDW2601
FDW2601NZ Hakkında
FDW2601NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel Power MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate kontrolü ile 30V drain-source gerilimi ve 8.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 15mOhm on-resistance değeri ile güç uygulamalarında düşük kayıplı anahtarlama sağlar. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 150°C arası) stabil performans gösterir. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış durumda olup, benzer güncel alternatifler mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok