Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDW2512NZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- FDW2512NZ
FDW2512NZ Hakkında
FDW2512NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen çift N-channel power MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajında 6A sürekli akım kapasitesine ve 28mOhm on-resistance değerine sahiptir. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan transistör, gate threshold voltajı 1.5V (@250µA) ile düşük sürüş gerilimine sahiptir. Maksimum 1.6W güç tüketimiyle, düşük enerji uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılan bu bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok