Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDW2511NZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDW2511NZ

FDW2511NZ Hakkında

FDW2511NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET dizisidir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponen, ortak drenaj konfigürasyonunda iki N-kanallı MOSFET içerir. Maksimum 20V Drain-Source voltajında 7.1A sürekli dren akımı sağlayabilir. 4.5V gate voltajında 20mOhm düşük on-resistance değeri, verimli güç uygulamalarına olanak tanır. 1.6W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile düşük voltaj anahtarlama, motor kontrol, güç yönetimi ve LED sürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulan bu bileşen, kompakt tasarımlar için uygundur. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.6W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.1A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok