Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDW2501N

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDW2501N

FDW2501N Hakkında

FDW2501N, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 20V drain-source voltaj ve 6A sürekli drain akımı ile çalışabilir. 18mΩ maksimum on-resistance değeri (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 600mW maksimum güç harcaması ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulan bu bileşen, hızlı anahtarlama gerektiren motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.5V maksimum gate threshold voltajı ile TTL/CMOS uyumlu seviye gerekli uygulamalarda kullanım için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok