Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS9958-F085
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
FDS9958-F085 Hakkında
FDS9958-F085, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 10V gate geriliminde 105mΩ on-direnci ve 23nC gate charge değerine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 900mW maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok