Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS9958
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
FDS9958 Hakkında
FDS9958, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ile 2.9A sürekli dren akımı sağlar. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleri ile çalışabilir. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve kontrol sistemlerinde kullanılır. 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDS9958, taşınabilir cihazlar, endüstriyel kontrol ve mobil uygulamalarda yaygın olarak yer almıştır. Gatecharge değeri 23nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok