Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS9953A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS9953A
FDS9953A Hakkında
FDS9953A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliği ile düşük sürücü gerilimi gereksinimi olan uygulamalarda kullanılır. 30V Vdss ile orta güç uygulamalarına uygun olan bileşen, 2.9A sürekli dren akımı kapasitesine ve 130mOhm on-resistance değerine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan FDS9953A, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 900mW maksimum güç disipasyonu ile sınırlı alanlarda kullanım için uygundur. 3.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 185pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok