Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS9933BZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS9933
FDS9933BZ Hakkında
FDS9933BZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel Power MOSFET transistör dizisidir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponent, 20V Drain-Source gerilimi ve 4.9A sürekli dren akımı ile çalışır. 46mOhm on-state dirençi (RDS on) ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve elektronik anahtarlar gibi alanlarda kullanılır. 900mW maksimum güç derecelemesi ile orta güç uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 985pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok