Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8962C
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS8962C
FDS8962C Hakkında
FDS8962C, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltaj ile çalışabilen bu bileşen, 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrolü gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. 900mW maksimum güç dağıtımı ile tasarlanmış olup, 30mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrolü ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. Lojik seviye gate kontrolü, mikrodenetleyicilerle doğrudan bağlantı imkanı tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A, 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok