Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8962C
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
FDS8962C Hakkında
FDS8962C, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. Bir pakette N-channel ve P-channel MOSFET'leri bulunduran bu bileşen, 30V drain-source voltajı ve sırasıyla 7A/5A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olan FDS8962C, 10V gate voltajında 26nC gate charge değeri ve 30mΩ on-resistance karakteristiği ile düşük güç kayıpları sağlar. 900mW maksimum güç disipasyon kapasitesi bulunan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount 8-SOIC paket formatında sunulan FDS8962C, şu anda üretim dışı (obsolete) konumdadır. Anahtarlama uygulamaları, sürücü devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A, 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok