Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8958B_G
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
FDS8958B_G Hakkında
FDS8958B_G, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source voltaj ile tasarlanan bu bileşen, yüksek akım kapasitesi (N-Channel 6.4A, P-Channel 4.5A) sunarak güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey monte pakette sunulan FDS8958B, düşük gate charge ve RDS(on) değerleriyle verimli anahtarlama sağlar. Ön-amplifikatör devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 900mW maksimum güç dağıtımına sahiptir. Lütfen kullanımdan önce detaylı datasheet'i inceleyiniz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A, 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 15V, 760pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok