Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8958B
MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
FDS8958B Hakkında
FDS8958B, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET transistörleri içeren entegre devredir. 30V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu komponent, maksimum 6.4A (N-channel) ve 4.5A (P-channel) sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, düşük voltajlı sinyal kontrol sistemlerinde doğrudan kullanılabilir. 26mOhm on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A, 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok