Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8958A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS8958A
FDS8958A Hakkında
FDS8958A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N ve P-Channel power MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış olan bu bileşen, 7A ve 5A drain akımı kapasitelerine sahiptir. Logic Level Gate özelliğine sahip olan FDS8958A, düşük gate gerilimi seviyeleriyle çalışabilir ve 28mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 900mW maksimum güç derecelendirilmesine ve surface mount (8-SOIC paket) kurulumuna sahiptir. Motor kontrolü, LED sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük kapasitans (575pF @ 15V) ve minimal gate charge (16nC @ 10V) özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A, 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok