Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8958
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
FDS8958 Hakkında
FDS8958, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET transistördür. N-channel ve P-channel konfigürasyonda sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 7A (N-channel) / 5A (P-channel) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile 10V'ta 26nC gate charge ve 28mOhm RDS(on) değerleri sunmaktadır. 8-SOIC yüzeye monte paket tipinde tasarlanmış olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Düşük on-resistance değeri sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Geniş sıcaklık aralığı ve kompakt kasa tasarımı, mobil cihazlar ve endüstriyel elektronik uygulamalarına uygunluğunu sağlamaktadır. Bileşen mevcut üretim listesinde bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A, 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 789pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok