Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS8958

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS8958

FDS8958 Hakkında

FDS8958, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim, 7A sürekli drenaj akımı ve Logic Level Gate özelliğine sahiptir. 28mOhm RDS(on) değeri ile düşük on-direnci sunarak verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt devreler için uygundur. 2W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama regülatörü gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uyarlanabilir. Ürün şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A, 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 789pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok