Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8949
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS8949
FDS8949 Hakkında
FDS8949, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 40V drain-source geriliminde 6A sürekli dren akımı sağlayabilir. 29mOhm RDS(On) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan FDS8949, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 2W maksimum güç tüketimi ile enerji verimliliği gerektiren tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok