Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8949-F085
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS8949
FDS8949-F085 Hakkında
FDS8949-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip dual N-channel power MOSFET transistörüdür. 40V Vdss ve 29mOhm (6A, 10V) RDS(on) değerleriyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle (3V eşik voltajı) çalışabilir. 955pF input kapasitesi ve 11nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 8-SOIC yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, 2W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok