Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS8947A

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS8947A

FDS8947A Hakkında

FDS8947A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 4A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol voltajıyla çalıştırılabilir. 52mOhm (10V, 4A) on-state direnci ve 27nC gate charge ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde iki P-kanallı transistör bulunur. Maksimum 900mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları, solenoid sürücüleri ve anahtarlama devrelerinde kullanım için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok