Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8935
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
FDS8935 Hakkında
FDS8935, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajı ve 2.1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 10V gate voltajında 183mΩ RDS(on) değerine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sağlanan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (19nC) ve input capacitance (879pF) değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek mümkündür. Ses amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 879pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 183mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok