Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8926A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS8926A
FDS8926A Hakkında
FDS8926A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V'ta 28nC gate charge değerine sahiptir. 30mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 900mW maksimum güç dağıtma kapasitesi ile çalışır. Surface mount 8-SOIC paket tipinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Motor kontrol, DC-DC konvertörler, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok