Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS89161LZ
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
FDS89161LZ Hakkında
FDS89161LZ, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 2.7A sürekli drenaj akımı ile karakterize edilen bu bileşen, 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulur. 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, anahtar uygulamaları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi çeşitli anahtarlama devreleri için kullanılır. Düşük gate charge (5.3nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 302pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok