Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS89161
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
FDS89161 Hakkında
FDS89161, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışabilen bu bileşen, maksimum 2.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan FDS89161, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 105mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Gate charge değeri 4.1nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok