Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDS8858CZ

MOSFET N/P-CH 30V 8.6/7.3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDS8858

FDS8858CZ Hakkında

FDS8858CZ, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET entegresidir. N-kanallı ve P-kanallı FET'leri aynı pakette sunarak, complementary logic uygulamaları için tasarlanmıştır. 30V Drain-Source voltaj seviyesi ile, orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 8SOIC yüzeye monte paket içerisinde iki ayrı transistör bulunur. Anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç dönüştürücüler ve dijital anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.6A, 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1205pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok