Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS8333C
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
FDS8333C Hakkında
FDS8333C, onsemi tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 4.1A ve 3.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 80mOhm maksimum on-state direnç ile düşük güç kaybı sağlar. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 900mW güç tüketimi ile compact tasarımlara uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A, 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 282pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok