Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDS6990S
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- FDS6990S
FDS6990S Hakkında
FDS6990S, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 7.5A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, 22mOhm on-state direnç (Rds On) değerine sahiptir. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan FDS6990S, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 900mW maksimum güç tüketim kapasitesine sahip olan bileşen, hızlı anahtarlama işlemleri için 16nC gate charge değerine ve düşük input kapasitans (1233pF @ 15V) karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1233pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok